삼성전자 “2030년까지 총 133조원 투자해 시스템 반도체서 글로벌 1위 달성 목표”
삼성전자가 파운드리(반도체 위탁 생산) 업계 1위인 대만 TSMC를 제치고 세계 최초로 3나노 초미세 반도체 공정 기술 개발에 성공했다.
삼성전자에 따르면 이재용 삼성전자 부회장은 지난 2일 경기도 화성사업장 내 반도체연구소를 방문해 자사가 세계 최초로 개발한 3나노 반도체 공정 기술 개발과 관련한 보고를 받았다.
새해 첫 일정으로 삼성전자 화성사업장 반도체연구소를 찾는 등 현장 경영 행보에 나선 이 부회장은 이날 현장에서 “과거의 실적이 미래의 성공을 보장해주지 않는다”며 “역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것”이라고 강조한 것으로 전해졌다.
이 부회장은 임직원들을 향해 “잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자”며 “우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자”고 당부했다.
삼성전자가 세계 최초로 공정 기술 개발에 성공한 3나노 반도체에는 반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 ‘GAA(Gate-All-Around)’가 적용됐다. 이는 최근 공정 기술 개발을 완료한 5나노 반도체에 비해 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있으며, 소비전력은 50% 감소시키면서 성능(연산처리속도)은 약 30% 향상시킬 수 있다.
삼성전자는 대만 TSMC와 더불어 현재 전 세계 반도체 업체 가운데 7나노 이하의 반도체를 양산하고 있다. 삼성전자는 지난해 4월 세계 최초로 극자외선(EUV) 기술을 적용한 7나노 반도체 양산에 이어 올해 들어서는 5나노 반도체 양산에 들어갈 것으로 전망된다.
3나노 반도체 공정 기술 역시 개발 속도에 따라 이르면 올해 하반기부터 양산할 수 있을 것으로 분석되는 가운데 삼성전자는 내년 하반기까지 3나노 반도체를 세계 최초로 양산하는 것으로 목표로 두고 있다.
삼성전자는 지난해 4월 “오는 2030년까지 총 133조원 투자해 메모리 반도체 분야뿐만 아니라 시스템 반도체 분야에서도 글로벌 1위에 올라서겠다”고 언급한 가운데 삼성전자의 이번 3나노 반도체 공정 기술 개발 성공으로 목표 달성에 더욱 박차를 가할 것으로 보인다.
